嘉宾介绍
DOIT
DOIT学院讲师团
主题介绍
铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而传统铁电材料与标准CMOS工艺兼容性差问题和尺寸微缩难的问题制约着铁电存储器的发展。2011年，掺杂HfO2的铁电材料被报道，开启了铁电存储器研究的新时代。中国科学院微电子研究所副研究员罗庆的报告围绕HfO2基铁电存储器展开，介绍HfO2基铁电的起源、铁电性的优化和HfO2铁电存储器的应用。
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铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而传统铁电材料与标准CMOS工艺兼容性差问题和尺寸微缩难的问题制约着铁电存储器的发展。2011年，掺杂HfO2的铁电材料被报道，开启了铁电存储器研究的新时代。中国科学院微电子研究所副研究员罗庆的报告围绕HfO2基铁电存储器展开，介绍HfO2基铁电的起源、铁电性的优化和HfO2铁电存储器的应用。
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